Гибридные полупроводниковые III–V наноструктуры на поверхности кремния

Разработка новых эффективных наноматериалов высокого качества на основе полупроводниковых соединений III и V групп таблицы химических элементов Дмитрия Менделеева — актуальная задача современных специалистов в области физики. Бурное развитие информационных технологий, наблюдаемое в последние годы, стало возможным в первую очередь благодаря совершенствованию полупроводниковых технологий и появлению целого класса новых приборов оптоэлектроники.

Особую роль в этом играют гибридные полупроводниковые наноструктуры, которые используются, например, при создании светодиодов, лазеров, транзисторов, солнечных батарей, сенсоров давления и газов, компонентов квантового компьютера, устройств безопасной передачи информации и других устройств.

Основным материалом для микро- и наноэлектроники сегодня является кремний. Металл, обладая невысокой ценой, отличается прочностью, большой теплопроводностью. Наличие сверхкачественных пластин большого диаметра и присутствие стабильного оксида кремния на поверхности этих пластин позволяют использовать кремний при производстве различных элементов электроприборов. Однако создание приборов на основе кремния сегодня затруднено из-за непрямозонной структуры полупроводника, поэтому интеграция наиболее перспективных для оптоэлектронных приложений соединений III–V с кремниевой платформой сегодня актуальное направление работы физиков СПбГУ.

В рамках открытой лекции руководитель лаборатории новых полупроводниковых материалов для квантовой информатики и телекоммуникаций СПбГУ Родион Резник расскажет об опыте синтеза материалов с использованием кремниевых и других пластин. Лекция будет сопровождаться демонстрацией техники и вакуумных установок.

Регистрация